GC2M160330K
SiC MOSFET碳化硅 MOSFET
电压
3300 V
电流 (Tc=25℃)
20 A
RDS(on)
160 mΩ
封装
TO-247-4
详细参数
- Voltage (V)
- 3300
- RDS(ON) (mΩ)
- 160
- ID (A)@25℃
- 20
- QG (nC)
- 110
- EON (mJ)
- 0.186
- EOFF (mJ)
- 0.055
- PD (W)
- 230
- V(sp)(V)
- 3300
- R(on)(mΩ)
- 160
- I(A) Tc=25℃
- 35
- I(A) Tc=100℃
- 89
- V(th)(V)
- 3.2
- P(W)
- 482
- Tj(max)(℃)
- 175