GC2M020065D

SiC MOSFET碳化硅 MOSFET

电压
650 V
电流 (Tc=25℃)
92 A
RDS(on)
20 mΩ
封装
HiP247

详细参数

Voltage (V)
650
RDS(ON) (mΩ)
20
ID (A)@25℃
92
QG (nC)
187
EON (mJ)
-
EOFF (mJ)
-
PD (W)
-

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