GC2M01K330J

SiC MOSFET碳化硅 MOSFET

电压
3300 V
电流 (Tc=25℃)
5.4 A
RDS(on)
1000 mΩ
封装
TO-263-7L

详细参数

Voltage (V)
3300
RDS(ON) (mΩ)
1000
ID (A)@25℃
5.4
QG (nC)
-
EON (mJ)
-
EOFF (mJ)
-
PD (W)
-

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