GC2M016120D

SiC MOSFET碳化硅 MOSFET

电压
1200 V
电流 (Tc=25℃)
115 A
RDS(on)
16 mΩ
封装
TO-247-3

详细参数

Voltage (V)
1200
RDS(ON) (mΩ)
16
ID (A)@25℃
115
QG (nC)
-
EON (mJ)
770
EOFF (mJ)
856
PD (W)
TBD

同家族其他型号

规格书

🔒

规格书为会员专享

巨子半导体官方规格书仅向审核通过的会员开放，请登录后查看与下载。

会员登录申请会员