GC2M060330S

SiC MOSFET碳化硅 MOSFET

电压
3300 V
电流 (Tc=25℃)
58 A
RDS(on)
60 mΩ
封装
SOT-227

详细参数

Voltage (V)
3300
RDS(ON) (mΩ)
60
ID (A)@25℃
58
QG (nC)
339
EON (mJ)
1.23
EOFF (mJ)
0.54
PD (W)
428

同家族其他型号

规格书

🔒

规格书为会员专享

巨子半导体官方规格书仅向审核通过的会员开放，请登录后查看与下载。

会员登录申请会员