GC2M050330K

SiC MOSFET碳化硅 MOSFET

电压
3300 V
电流 (Tc=25℃)
68 A
RDS(on)
50 mΩ
封装
TO-247-4

详细参数

Voltage (V)
3300
RDS(ON) (mΩ)
50
ID (A)@25℃
68
QG (nC)
262
EON (mJ)
18
EOFF (mJ)
3.8
PD (W)
560

同家族其他型号

规格书

🔒

规格书为会员专享

巨子半导体官方规格书仅向审核通过的会员开放，请登录后查看与下载。

会员登录申请会员