GC2M040120D

SiC MOSFET碳化硅 MOSFET

电压
1200 V
电流 (Tc=25℃)
60 A
RDS(on)
40 mΩ
封装
TO-247-3

详细参数

Voltage (V)
1200
RDS(ON) (mΩ)
40
ID (A)@25℃
60
QG (nC)
128
EON (mJ)
1.2
EOFF (mJ)
0.44
PD (W)
312

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