GC2M025120K

SiC MOSFET碳化硅 MOSFET

电压
1200 V
电流 (Tc=25℃)
80 A
RDS(on)
25 mΩ
封装
TO-247-4

详细参数

Voltage (V)
1200
RDS(ON) (mΩ)
25
ID (A)@25℃
80
QG (nC)
185
EON (mJ)
2.6
EOFF (mJ)
2.2
PD (W)
419

规格书

🔒

规格书为会员专享

巨子半导体官方规格书仅向审核通过的会员开放,请登录后查看与下载。