GC2M025065K

SiC MOSFET碳化硅 MOSFET

电压
650 V
电流 (Tc=25℃)
98 A
RDS(on)
25 mΩ
封装
TO-247-4

详细参数

Voltage (V)
650
RDS(ON) (mΩ)
25
ID (A)@25℃
98
QG (nC)
106
EON (mJ)
35
EOFF (mJ)
27
PD (W)
312

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